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臺美(NSTC-NSF)先進半導體晶片設計及製作(ACED Fab) 合作計畫共同徵件 (2023年1月17日截止)

徵求單位 科教國合處及工程處 徵求階段 雙邊合作研究團隊共同提出計畫申請書
計畫類別 學術研究 計畫領域 工程技術
主題名稱 臺美(NSTC-NSF)先進半導體晶片設計及製作(ACED Fab) 合作計畫共同徵件 (2023年1月17日截止)
徵求期間 111年9月29日至112年1月17日
計畫經費 (一) 專案計畫預算:臺方專案預算為每年新臺幣3,000萬元,期程為3年。預算經費之50% 將使用於晶片下線費用,另案核定補助國研院半導體研究中心。

(二) 計畫補助額度:本專案將擇優補助選定之計畫,每年以不超過新臺幣700萬元為原則,晶片下線費用以外之研究經費部分,由計畫主持人提出申請,每年以不超過350萬元為原則。
補助期程 三年期計畫
執行期間預訂為 2023/07/01 至 2026/06/30
計畫重點 - 高效能、低延遲、低功耗系統電路 (Energy-efficient circuits and systems: low latency and high performance at lower power for sensing, computing, and communication.)
- 具人工智慧功能邊緣運算SOC (Edge-AI sensing, computing, and communication: edge-intelligence system-on-chip (SoC) development.)
- 量子電腦/通訊關鍵電路(Quantum chips: essential building blocks of very compact form factors and great scalability for quantum computers and quantum communications.)
- 新興異質整合半導體(Emerging semiconductor heterogeneous integration: enabling beyond 5G and E-car.)
對象/資格 1. 須符合本會專題研究計畫主持人及共同主持人資格,且僅限申請及參與一件計畫。
2. 申請案構想書(Research Concept Outline, RCO) 須獲美方(NSF)回應符合計畫目標。
聯絡方式 科教國合處 李蕙瑩研究員 / 電話:+886-2-2737-7150 / Email: vvlee@nstc.gov.tw
工程處 梁雁惠助理研究員 / 電話:+886-2-2737-7525 / Email: yhliang@nstc.gov.tw

其他

(一) 請詳閱附件一「公告徵件說明」,並依說明六方式,經執行機構備函向本會提出申請。英文申請書如附件二。
(二) 臺方計畫主持人應配合美方計畫主持人,於2022年12月13日前,繳交申請案構想書(RCO),並同時以電子郵件寄送臺方聯絡人。

附加檔案


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