:::
突破鐵電材料極限，引領半導體技術新浪潮 超薄二維材料實現低功耗記憶體與運算融合鐵電電晶體 Расширение возможностей ферроэлектрических материалов ведет к новой волне развития полупроводниковых технологий (Ультратонкие двумерные материалы позволяют создавать технологии хранения и интеграции данных с низким энергопотреблением на основе ферроэлектрических транзисторов)
附加檔案
相關連結
突破鐵電材料極限，引領半導體技術新浪潮 超薄二維材料實現低功耗記憶體與運算融合鐵電電晶體Breaking the Limits of Ferroelectric Materials, Leading the New Wave in Semiconductor Technology(Ultra-Thin 2D Material Achieves Low-Power Memory and Computing Integration with Ferroelectric Transistors)
:::
駐莫斯科代表處科技組
Science and Technology Division in Moscow,TMECCC
RUSSIA, MOSCOW, 125009, Tverskaya Street 24/2, korpus 1, pod-ezd 4
©National Science and Technology, 106, Sec. 2, Heping E. Rd., Taipei 106214, Taiwan, R.O.C.